Intel continua il suo impegno nell’innovazione tecnologica con l’introduzione del nodo di processo Intel 3, un ulteriore passo avanti nell’ambizioso piano “Cinque Nodi in Quattro Anni” (5N4Y).
Lanciato nel 2021, il piano 5N4Y di Intel mira a riconquistare la leadership tecnologica entro il 2025. Questo piano prevede l’implementazione di cinque nodi di processo in quattro anni, un obiettivo ambizioso che sottolinea l’impegno di Intel nella trasformazione del settore. Il nuovo nodo rappresenta quindi un passo cruciale in questa roadmap, avvicinando l’azienda al suo traguardo attraverso una serie di innovazioni e miglioramenti continui.
Intel 3: prestazione, produzione e applicazioni
Il nodo di processo Intel 3 offre prestazioni superiori fino al 18% a parità di energia rispetto al precedente nodo Intel 4. Questo miglioramento è il risultato di ottimizzazioni dettagliate in vari aspetti del processo, dal transistor allo stack metallico. Un altro significativo progresso è l‘incremento della densità dei transistor del 10%, reso possibile grazie allo sviluppo di nuove librerie di celle standard ad alta densità. Queste innovazioni permettono una maggiore flessibilità nelle opzioni di interconnessione in metallo e contribuiscono a ridurre i costi e aumentare l’efficienza energetica.
La produzione del nuovo nodo è stata avviata nel quarto trimestre del 2023, con le prime implementazioni presso il sito di ricerca e sviluppo in Oregon e successivamente presso la fabbrica di Leixlip in Irlanda. Questo nodo è ora utilizzato nella produzione massiva dei processori Intel Xeon 6, destinati ai clienti delle fonderie.
La nuova tecnologia include quattro varianti progettate per diverse applicazioni, come l’elaborazione delle immagini, il calcolo ad alte prestazioni e l’intelligenza artificiale, garantendo così una vasta gamma di utilizzi e una flessibilità superiore. Nello specifico le 4 varianti applicative sono:
- Intel 3-T: Progettato per applicazioni di stacking 3D, come l’elaborazione delle immagini e l’AI, grazie all’integrazione di through-silicon via (TSV).
- Intel 3-E: Aggiunge un set ricco di I/O per interfacce esterne e funzionalità a segnale misto.
- Intel 3-PT: Combina gli avanzamenti dei nodi precedenti e offre opzioni di bonding ibrido per uno stacking 3D a densità più elevata.
- Intel 3: Progettato per garantire una lunga durata e un miglioramento continuo delle prestazioni per servire un’ampia gamma di applicazioni.
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