Samsung e IBM stanno lavorando a nuove soluzioni per allungare in modo significativo l’autonomia dei dispositivi. In particolare, durante la recente conferenza IEDM di San Francisco, le due aziende hanno presentato un nuovo sistema per il design dei chip che potrebbe garantire un notevole incremento dell’autonomia oppure delle prestazioni reali di funzionamento. Il nuovo sistema svelato da Samsung e IBM si chiama Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) e prevede un alloggiamento in verticale dei transistor, uno sopra all’altro.
La nuova soluzione di Samsung e IBM per massimizzare l’autonomia dei dispositivi
Ricorrendo all’architettura Vertical Transport Field Effect Transistors, Samsung e IBM prometto di realizzare chip in grado di garantire il doppio della velocità o un taglio dell’85% dei consumi di energia rispetto agli attuali FinFET. Samsung ha sottolineato che questo accorgimento potrebbe portare gli smartphone ad avere un’autonomia di una settimana. Da notare, inoltre, che il progetto potrebbe trovare ampia applicazione anche in campi come il mining di criptovalute che comporta un consumo enorme di energia.
Non ci sono date per ora
Samsung e IBM, per il momento, non hanno chiarito quali saranno le tempistiche per la realizzazione del progetto. I Vertical Transport Field Effect Transistors potrebbero rappresentare il futuro del settore ma, al momento, non è chiaro quanto tempo ci vorrà per raggiungere gli obiettivi fissati. Ne sapremo di più, molto probabilmente, nel corso dei prossimi anni.
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